Gyorskapcsolós tirisztor

Leírás:

Gyorskapcsolós tirisztor, a fázisvezérlő tirisztor szerkezetével és szimbólumával azonos, míg a jobb statikai jellemzőket, különösen a dinamikus karakterisztikát igényli az egyenirányító, szaggató, inverter és frekvenciaváltó áramkör nagyfrekvenciás alkalmazása.A gyors tirisztor dinamikus paraméterei a gyors bekapcsolási sebesség és a bekapcsolási tágulási sebesség, a kisebb visszacsatolási töltés és a rövid kikapcsolási idő, a bekapcsolt áram magas kritikus emelkedési sebessége (di/dt) és a kritikus kikapcsolt feszültség emelkedése (dv/dt).A gyors tirisztor névleges árama a névleges frekvencián belül nem csökken, vagy egy kicsit csökken a frekvencia növelésekor.

A RUNAU Electronics gyorskapcsolós tirisztorgyártási szabványát és feldolgozási technológiáját az 1980-as évek óta az USA-ból vezették be, a kínai tirisztorgyártás úttörőjeként a RUNAU műszaki csapata több mint 30 éven át sajátította el az élvonalbeli tudást és bőséges gyártási tapasztalatot.A hagyományos gyártási folyamat alapjain a RUNAU Electronics tehetséggondozó technikusai kidolgozták a tirisztorgyártás legmodernebb technológiáját az európai termékek előnyeivel, a minőség és a teljesítmény nagymértékben javul, több nagy nyereményt értek el a teljesítményelektronikai alkalmazásokban, és több értéket teremtettek a partnerek számára.

Bevezetés:

1. Chip

A RUNAU Electronics által gyártott tirisztor chip szinterezett ötvözési technológiát alkalmaz.A szilícium-molibdén ostyát tiszta alumíniummal (99,999%) szinterezték, magas vákuumban és magas hőmérsékleten.A szinterezési jellemzők megadása kulcsfontosságú tényező a tirisztor minőségének befolyásolásában.A RUNAU Electronics know-how-ja az ötvözet csomóponti mélységének, felületi síkságának, ötvözetüregének, valamint teljes diffúziós képességének, gyűrűs körmintájának, speciális kapuszerkezetének kezelésén túl.Szintén speciális feldolgozást alkalmaztak a készülék hordozó élettartamának csökkentése érdekében, így a belső vivő-rekombináció sebessége nagymértékben felgyorsul, a készülék fordított visszanyerési töltése csökken, és ennek következtében javul a kapcsolási sebesség.Az ilyen méréseket a gyors kapcsolási jellemzők, a bekapcsolt állapotjellemzők és a túlfeszültség-tulajdonság optimalizálására alkalmazták.A tirisztor teljesítménye és vezetési működése megbízható és hatékony.

2. Kapszulázás

A molibdén ostya és a külső csomagolás laposságának és párhuzamosságának szigorú ellenőrzésével a chip és a molibdén ostya szorosan és teljesen integrálódik a külső csomagolásba.Ez optimalizálja a túlfeszültség és a nagy rövidzárlati áram ellenállását.Az elektronpárolgási technológia mérését pedig arra használták, hogy vastag alumínium filmet hozzanak létre a szilícium lapka felületén, és a molibdén felületre bevont ruténiumréteg nagymértékben növeli a hőfáradás ellenállását, a gyorskapcsoló tirisztorok élettartama jelentősen megnő.

Műszaki specifikáció

1. Gyorskapcsolós tirisztor ötvözet típusú chippel, a RUNAU Electronics gyártmánya, I_TAV200A-tól 4000A-ig és V_DRM/V_RRM1200V-tól 4500V-ig.
2. I_GT, V_GTés én_Ha 25 ℃-on mért tesztértékek, hacsak másképp nem jelezzük, az összes többi paraméter a T alatti vizsgálati érték._jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Szinuszos félhullámú áram alapszélessége.50 Hz-en I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. 60 Hz-en: I_FSM(8,3 ms) = I_FSM(10 ms) × 1,066,T_j=T_j;én²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Paraméter: