Fázisvezérlő tirisztor (szabadon lebegő típus)

Leírás:

Az átalakító berendezések, különösen a HVDC átvitel teljesítményének és kapacitásának növekedésével az egység tirisztorok kimenő teljesítményének megfelelő növelése szükséges, ami csökkenti a tirisztorok beépítési mennyiségét soros és párhuzamos csatlakozási áramkörben.Csökken a készülék mérete és tömege, kisebb beruházás, az egyenletes áram és feszültség is könnyen megvalósítható, a megbízható működés és a kereskedelmi érték jelentősen nő.

A nagy teljesítményű, nagyáramú tirisztorok gyártásához használt szabadon lebegő szilícium technológia kielégíti a magas szintű alkalmazási követelményeket.2019 júliusában a RUNAU Electronics sikeresen kifejlesztett egy 5200 V-os tirisztort 5” chippel, és szállította a kínai HVDC projektben jelentkező ügyfélnek.

Bevezetés:

1. Chip

A RUNAU Electronics által gyártott, magas színvonalú tirisztor chip szabadon lebegő technológiát alkalmaz.Ez a legfrissebb és kiforrott technológia a nagy teljesítményű, nagyfeszültségű tirisztorok gyártásához.A legtöbb világszínvonalú gyártó széles körben alkalmazza.

A diffúziós folyamatot optimalizálták a sűrűségben és a szélességben, hogy növeljék a feszültségellenállást, csökkentsék a bekapcsolt feszültségesést, és javítsák a trigger- és dinamikus jellemzőket.Az új fotolitográfiás mintát a di/dt és dv/dt funkció javítására tervezték.A chip érintkezőszerkezetét a szilícium lapka szélének és a katód felületének védelme érdekében újjáépítették, a fordított feszültség teljesítménye jelentősen javulni fog.

2. Kapszulázás

A szabadon lebegő szilícium technológia előnye, hogy a szilícium és a molibdén ostya közötti deformáció jelentősen visszafogott, és a molibdén lapka fogyasztása csökken.Míg a szilícium ostya és a rézblokk lapossága nagy elvárás, ugyanakkor a párhuzamosság és az érdesség követelménye is magasabb, mint az ötvözőchip technológiáé.A folyamatos fejlesztéssel és innovációval a RUNAU Electronic minden technikai nehézséget és akadályt leküzdött.A szabadon lebegő technológiát, nagy teljesítményű nagyfeszültségű tirisztort megbízható teljesítménnyel és kereskedelmileg hatékony megoldással fejlesztették ki és bocsátották az ügyfelek rendelkezésére.Legtöbbjük a nagy teljesítményű vezérelhető egyenirányító, nagyfeszültségű lágyindító, HVDC erőátviteli, mozdonyvontatási, dinamikus meddőteljesítmény-kompenzációs és impulzusteljesítmény-alkalmazási rendszerbe van beépítve.

Műszaki specifikáció

1. Fázisvezérelt tirisztor ötvözet típusú chippel, a RUNAU Electronics gyártmánya, I_TAV350A-ról 5580A-ra és V-re_DRM/V_RRM3400V-tól 8500V-ig.
2. I_GT, V_GTés én_Ha 25 ℃-on mért tesztértékek, hacsak másképp nem jelezzük, az összes többi paraméter a T alatti vizsgálati érték._jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Szinuszos félhullámú áram alapszélessége.50 Hz-en I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. 60 Hz-en: I_FSM(8,3 ms) = I_FSM(10 ms) × 1,066,T_j=T_j;én²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Paraméter: