Press-Pack IGBT
Press-pack IGBT (IEGT)
| TÍPUS | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A/µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2,2 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2,5 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2,8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2,8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2,5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2,5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4,0 | ≤1,90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3,5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0,03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3,2 | ≤1,8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4,0 | ≤2,2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4,0 | ≤2,1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Jegyzet:D- d-veljód rész, A-dióda rész nélkül
Hagyományosan a flexibilis egyenáramú átviteli rendszer kapcsolóberendezésében alkalmazták a forrasztóérintkezős IGBT modulokat.A modulcsomag egyoldali hőelvezetés.Az eszköz teljesítménye korlátozott, és nem megfelelő sorba kapcsolás, gyenge élettartam sós levegőben, gyenge vibráció elleni ütésállóság vagy hőfáradás.
Az új típusú présérintkezős, nagy teljesítményű préscsomagolású IGBT készülék nemcsak a forrasztási folyamat üresedési problémáit, a forrasztóanyag termikus kifáradását és az egyoldali hőleadás alacsony hatékonyságát oldja meg teljesen, hanem kiküszöböli a különböző alkatrészek közötti hőellenállást is, minimalizálja a méretet és a súlyt.És jelentősen javítja az IGBT eszköz működési hatékonyságát és megbízhatóságát.Nagyon alkalmas a rugalmas egyenáramú átviteli rendszer nagy teljesítményű, nagyfeszültségű és nagy megbízhatósági követelményeinek kielégítésére.
A forrasztóérintkező típusának helyettesítése nyomócsomagos IGBT-vel feltétlenül szükséges.
2010 óta a Runau Electronics új típusú préscsomagolású IGBT készülék kifejlesztésére és 2013-ban a gyártás utódlására dolgozott. A teljesítményt országos minősítéssel igazolták és a csúcsteljesítmény elkészült.
Most már tudunk gyártani és szállítani sorozatos préscsomagolású IGBT-t IC tartományban 600A és 3000A között és VCES tartományban 1700V és 6500V között.Nagyon várják a Kínában gyártott préscsomagolású IGBT-t, amelyet a kínai rugalmas egyenáramú átviteli rendszerben alkalmaznak, és a nagysebességű elektromos vonatok után a kínai teljesítményelektronikai ipar újabb világszínvonalú mérföldköve lesz.
A tipikus mód rövid bemutatása:
1. Mód: Press-pack IGBT CSG07E1700
●Elektromos jellemzők csomagolás és préselés után
● Fordítottpárhuzamoscsatlakoztatvagyors helyreállítási diódaarra a következtetésre jutott
● Paraméter:
Névleges érték (25℃)
a.Kollektor emitter feszültség: VGES=1700 (V)
b.Kapukibocsátó feszültség: VCES=±20（V）
c.Gyűjtőáram: IC=800(A）ICP=1600（A）
d.Kollektor teljesítmény disszipáció: PC=4440 (W)
e.Működési csomóponti hőmérséklet: Tj = -20 ~ 125 ℃
f.Tárolási hőmérséklet: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Megjegyzés: a készülék megsérül, ha meghaladja a névleges értéket
ElektromosCjellemzői, TC＝125℃，Rth (hőállóságacsomóponthozügy）nem tartalmazza
a.Kapu szivárgó árama: IGES=±5 (μA)
b.Kollektor Emitter blokkoló áram ICES=250 (mA)
c.Kollektor emitter telítettségi feszültség: VCE(sat)=6(V)
d.Kapukibocsátó küszöbfeszültség: VGE(th)=10(V)
e.Bekapcsolási idő: Ton = 2,5 μs
f.Kikapcsolási idő: Toff=3μs
2. Mód: Press-pack IGBT CSG10F2500
●Elektromos jellemzők csomagolás és préselés után
● Fordítottpárhuzamoscsatlakoztatvagyors helyreállítási diódaarra a következtetésre jutott
● Paraméter:
Névleges érték (25℃)
a.Kollektor emitter feszültség: VGES=2500 (V)
b.Kapukibocsátó feszültség: VCES=±20（V）
c.Gyűjtőáram: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Kollektor teljesítmény disszipáció: PC=4800 (W)
e.Működési csomóponti hőmérséklet: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Tárolási hőmérséklet: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Megjegyzés: a készülék megsérül, ha meghaladja a névleges értéket
ElektromosCjellemzői, TC＝125℃，Rth (hőállóságacsomóponthozügy）nem tartalmazza
a.Kapu szivárgó árama: IGES=±15（μA）
b.Kollektor Emitter blokkoló áram ICES=25 (mA)
c.Kollektor emitter telítettségi feszültség: VCE(sat)=3,2 (V)
d.Kapukibocsátó küszöbfeszültség: VGE(th)=6,3(V)
e.Bekapcsolási idő: Ton = 3,2 μs
f.Kikapcsolási idő: Toff=9,8μs
g.Dióda előremenő feszültség: VF=3,2 V
h.Dióda fordított helyreállítási ideje: Trr=1,0 μs
3. Mód: Press-pack IGBT CSG10F4500
●Elektromos jellemzők csomagolás és préselés után
● Fordítottpárhuzamoscsatlakoztatvagyors helyreállítási diódaarra a következtetésre jutott
● Paraméter:
Névleges érték (25℃)
a.Kollektor emitter feszültség: VGES=4500 (V)
b.Kapukibocsátó feszültség: VCES=±20（V）
c.Gyűjtőáram: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Kollektor teljesítmény disszipáció: PC=7700 (W)
e.Működési csomóponti hőmérséklet: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Tárolási hőmérséklet: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Megjegyzés: a készülék megsérül, ha meghaladja a névleges értéket
ElektromosCjellemzői, TC＝125℃，Rth (hőállóságacsomóponthozügy）nem tartalmazza
a.Kapu szivárgó árama: IGES=±15（μA）
b.Kollektor emitter blokkoló áram ICES=50（mA）
c.Kollektor emitter telítettségi feszültség: VCE(sat)=3,9 (V)
d.Kapukibocsátó küszöbfeszültség: VGE(th)=5,2 (V)
e.Bekapcsolási idő: Ton = 5,5 μs
f.Kikapcsolási idő: Toff=5,5 μs
g.Dióda előremenő feszültség: VF=3,8 V
h.Dióda fordított helyreállítási ideje: Trr=2,0 μs
Jegyzet:A préscsomagolású IGBT előnye a hosszú távú nagy mechanikai megbízhatóság, a sérülésekkel szembeni nagy ellenállás és a préscsatlakozó szerkezet jellemzői, kényelmesen használható soros készülékben, és a hagyományos GTO tirisztorral összehasonlítva az IGBT feszültséghajtású módszer. .Ezért könnyen kezelhető, biztonságos és széles a működési tartománya.