Fázisvezérlő tirisztor (ötvöző típus)

Leírás:

A tirisztor, más néven Silicon Control Rectifier (SCR) egy nagy teljesítményű félvezető eszköz, amely három PN szerkezetből áll.Teljesítményét tekintve a tirisztor nem csak egyirányú vezetőképességgel rendelkezik, hanem értékesebb szabályozhatósággal is rendelkezik, mint a szilícium egyenirányító elem, amely csak két vezetési és kikapcsolt állapotú, nagy teljesítményű kis teljesítménnyel vezérelhető, teljesítményerősítés akár több száz ill. ezerszer.A reakció nagyon gyors, mikro másodpercek alatt be- és kikapcsol.Érintkezésmentes működés, nincs szikra, nincs zaj, ugyanakkor nagy hatékonyság és alacsony költség.Ezért, különösen a nagy teljesítményű ellátó rendszerekben, a tirisztort széles körben használják egyenirányító áramkörökben, statikus bypass kapcsolókban, érintésmentes kimeneti kapcsolókban és más áramkörökben.

A RUNAU Electronics tirisztorgyártási szabványát és feldolgozási technológiáját az 1980-as évek óta az USA-ból vezették be, a kínai tirisztorgyártás úttörőjeként a RUNAU műszaki csapata több mint 30 éven át sajátította el a legkorszerűbb tudást és bőséges gyártási tapasztalatot.A hagyományos gyártási folyamat alapjaira építve a RUNAU Electronics tehetséggondozó technikusai kidolgozták a tirisztorok gyártásában a legmodernebb technológiát az európai termékek előnyeivel, a minőség és a teljesítmény jelentősen javul, több nagy nyereményt értek el a teljesítményelektronika alkalmazásában. mezőket, és több értéket teremtettek a partnerek számára.

Bevezetés:

1. Chip

A RUNAU Electronics által gyártott tirisztor chip szinterezett ötvözési technológiát alkalmaz.A szilícium-molibdén ostyát tiszta alumíniummal (99,999%) szinterezték, magas vákuumban és magas hőmérsékleten.A szinterezési jellemzők megadása kulcsfontosságú tényező a tirisztor minőségének befolyásolásában.A RUNAU Electronics know-how-ját az ötvözet csomóponti mélységének, felületi síkságának, ötvözetüregének, valamint teljes diffúziós készségének, középső kapujának, gyűrűs körmintájának kezelésén túl a tirisztorok megbízható és nagy hatékonyságú vezetési működésének lehetővé tétele érdekében alkalmazták. biztosítja a kiváló minőségű teljesítményt.

2. Kapszulázás

A molibdén ostya és a külső csomagolás laposságának és párhuzamosságának szigorú ellenőrzésével a chip és a molibdén ostya szorosan és teljesen integrálódik a külső csomagolásba.Ez optimalizálja a túlfeszültség és a nagy rövidzárlati áram ellenállását.Az elektronpárolgási technológia mérésével pedig vastag alumínium filmet hoztak létre a szilícium lapka felületén, és a molibdén felületre bevont ruténiumréteg nagymértékben növeli a hőfáradás ellenállását, a tirisztor élettartama jelentősen megnő.

Műszaki specifikáció

1. Fázisvezérelt tirisztor ötvözet típusú chippel, a RUNAU Electronics gyártmánya, I_TAV300A-tól 6000A-ig és V_DRM/V_RRM800V-tól 4400V-ig.
2. I_GT, V_GTés én_Ha 25 ℃-on mért tesztértékek, hacsak másképp nem jelezzük, az összes többi paraméter a T alatti vizsgálati érték._jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Szinuszos félhullámú áram alapszélessége.50 Hz-en I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. 60 Hz-en: I_FSM(8,3 ms) = I_FSM(10 ms) × 1,066,T_j=T_j;én²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Paraméter: