A közelmúltban Runauban hozták létre a teljesítmény-félvezető eszköz új típusú szimulációs tervezési platformját.A fejlett szimulációs platform és a kombinált tesztelés és elemzés segítségével eredményesen zajlott az eszközszerkezet és a kapcsolódó alapelmélet mélyreható kutatása.Az élvonalbeli elmélet és kutatási platform kihasználása arra késztette a vállalatot, hogy kidolgozza és elsajátítsa az 5”-os tirisztor chipek, a GTO és az IGCT kulcsfontosságú feldolgozási technológiáját.A tirisztorok, egyenirányító diódák, schottky modulok, IGCT, IGBT, nagyfeszültségű és nagyáramú tirisztorok gyártására, valamint az ultragyors helyreállító diódák pilot tesztplatformjának megépítésére szolgáló teljes folyamatképességű lehetőség Runauban sikeresen elérhető volt.Egy további szilárd lépés a nagyteljesítményű elektronikai eszközök gyártási bázisának kiépítése felé Kínában, úton vagyunk.